Samsung Electronics смогла увеличит..

Samsung Electronics смогла увеличить валовой объём производства памяти без расширения мощностей

Прошедший 2019 год не был самым простым для производителей памяти, поскольку они сильно потеряли в выручке, поэтому сложности текущего года их не испугают. Производители памяти заранее решили ограничить количество обрабатываемых кремниевых пластин, но растущий спрос они готовы удовлетворять за счёт увеличения плотности размещения транзисторов.

Источник изображения: TechCrunch

Поскольку так называемый закон Мура , предписывающий регулярное увеличение количества размещаемых на одном квадратном миллиметре площади транзисторов, пока ещё действует, производители памяти готовы его использовать себе во благо. Как отмечает издание Business Korea, в прошлом году Samsung Electronics сохранила количество закупаемых кремниевых пластин на уровне 2018 года, но при этом валовой объём выпуска продукции в пересчёте на единицы объёма для хранения данных вырос на 39 %. Этого удалось добиться за счёт внедрения пространственных компоновок и перехода на более прогрессивные литографические технологии.

Если говорить о микросхемах оперативной памяти, то Samsung продолжает мигрировать с техпроцесса 10-нм класса первого поколения на третье поколение того же техпроцесса. Условно говоря, к 10-нм классу относятся все ступени литографии от 19 нм до 10 нм. Переход от одного поколения техпроцесса к другому позволяет получать с кремниевой пластины фиксированной площади на 20 30 % больше микросхем памяти. Ну, а переход от первого поколения 10-нм техпроцесса к четвёртому, которое уже подразумевает использование литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), позволяет удвоить выход микросхем с единицы площади кремниевой пластины.

Твердотельная память Samsung типа 3D NAND перешла на 128-слойную компоновку ещё в конце прошлого года, корейский гигант опередил всех конкурентов. Более того, в исполнении Samsung стеки памяти с количеством слоёв до 200 штук могут быть монолитными, тогда как конкуренты за рубежом ста слоёв начинают использовать составные стеки, что увеличивает затраты на изготовление памяти. Компания уже приступила к разработке 160-слойной памяти типа 3D NAND. В текущем году она рассчитывает увеличить валовой объём выпуска твердотельной памяти на 30 %, довольствуясь имеющимися производственными мощностями.

Видео

Видеокарты

gigabyte_podtverdila_podgotovku_geforce_rtx_3070_s_16_gbayt_i_rtx_3080_s_20_gbayt_pamyati_a_mladshaya_geforce_rtx_3060_poluchit_8_gbayt_default.jpg

Gigabyte подтвердила подготовку GeForce RTX 3...

  • Сен 18, 2020
  • 236

Компания Gigabyte подтвердила существование пока неанонсированных видеокарт GeForce RTX 30-й серии, в список которых входят модели GeForce RTX 3080 с ...

Умные Вещи

v_set_utekli_harakteristiki_ticwatch_pro_3_novyy_chip_snapdragon_wear_4100_1_gb_ozu_nfc_i_funkciya_otslezhivaniya_spo2_default.jpg

В сеть утекли характеристики TicWatch Pro 3: ...

  • Сен 18, 2020
  • 249

Журналисты американского издания9to5Googleраздобылирекламные изображения схарактеристиками новых смарт-часовTicWatch Pro 3.Что известноКак и говорилос...

Наверх